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1. 三星、SK海力士與美光皆投入3D DRAM研發，對外揭露的商用時間點多落在2030年前後。
2. SK海力士於2024年展示堆疊5層的3D DRAM，測試晶圓良率56.1%，每1,000顆約561顆可用。
3. 一般用途3D DRAM需堆疊32至192層，SK海力士的5層試產品特性接近傳統DRAM，但表現仍不穩定。
4. SK海力士宣布在10奈米及以下世代導入4F²垂直閘極平台與3D DRAM，並將其列為未來DRAM的主要支柱。
5. 三星規畫於2030年前後推出3D DRAM商用產品，最多堆疊16層，並以垂直通道電晶體設計作為第一步。
6. 台積電傳出應輝達要求評估新一代3D DRAM生產計畫，可能新建或收購既有廠房。
7. 台積電與輝達對3D DRAM的評估尚未公布技術路線、層數或量產時程。
8. 美光已投入3D DRAM研究，傳出測試堆疊8層。
9. 東京威力科創預估，採用垂直通道電晶體與4F²設計的DRAM約在2027至2028年問世。
10. SK海力士表示，垂直通道電晶體製程設計有望使EUV相關成本減半。
11. 三星3D NAND自2013年量產24層以來持續演進，目前堆疊層數已超過300層。
12. 各廠3D DRAM路線圖多於2024至2025年學術研討會揭露，實際研發進度未必公開。