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1. 長江存儲規劃興建第四座工廠，預定明年在武漢開工。
2. 第四廠目標國產設備占比至少60%，公司希望達成70%。
3. 目前長江存儲僅與供應商進行初步討論，尚未正式下訂單。
4. 第四廠預計生產垂直堆疊超過300層的先進NAND快閃記憶體晶片。
5. 新廠產品將主要聚焦資料中心及人工智慧應用的儲存晶片。
6. 長江存儲第三廠預計今年稍後投產，國產設備占比略高於50%。
7. 額外國產設備訂單可能集中於清潔、拋光及蝕刻晶圓等製程。
8. 中國大陸供應商已於長江存儲產線驗證相關設備能力。
9. 提高國產設備占比，預期可為北方華創與中微半導體設備等業者帶來商機。
10. 三星正調整西安廠生產286層晶片，SK海力士則規劃升級大連廠製造240層晶片。