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1. 研究由長庚大學、台灣大學、陽明交通大學、中央研究院及日本東京大學多名學者共同合作，成果近日刊登於《Nature》。
2. 團隊成功在2吋晶圓上生長單層硼碳氮（BCN）p型半導體材料，實現晶圓尺度的單原子層元件。
3. 新開發的BCN p型二維半導體元件效能超越《2031年國際元件與系統技術藍圖》（IRDS）設定的高性能挑戰指標。
4. 研究以單甲基胺硼烷（MMAB）與氨硼烷（AB）組成雙前驅物系統，從基礎化學原理調控硼、碳、氮原子的釋放時序與鍵結路徑。
5. 此方法避開昂貴且複雜的製程，並克服傳統BCN合成中碳容易析出形成石墨烯相、難以均勻整合至氮化硼晶格的問題。
6. 研究團隊認為，二維半導體可望成為後摩爾時代與3D單晶積體電路的材料平台，但業界長期缺乏高效能、高穩定度且可大面積製備的p型材料。
7. 既有p型二維材料常受制於載子散射、穩定性不足、製程相容性不佳及晶圓尺度均勻性不足，成為低功耗互補式電子元件的研發瓶頸。
8. 後續目標是整合p型BCN與n型二維半導體，形成互補式二維電子元件，並應用於3D單晶整合、低功耗邏輯電路、先進封裝及後摩爾世代人工智慧硬體。
9. 童俊智表示，新材料能否取代傳統矽材料仍須視製程整合情況，後續應用由科技大廠評估。