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1. 輝達8月26日發表客製化高頻寬記憶體NVHBM，以第7代HBM4E為架構基礎，將記憶體控制器移至HBM最底層的基礎晶粒。
2. 南韓媒體10月18日報導，輝達要求三星、SK海力士與美光，NVHBM底層邏輯晶粒一律採用台積電3奈米製程。
3. 輝達表示，NVHBM相較標準HBM4E頻寬最多提高30%、HBM耗電最多降低15%，運算晶片最多可多騰出25%面積放置運算電路。
4. NVHBM負責與其他晶片溝通的實體層面積縮小60%。
5. 輝達希望三家供應商採一致規格，底層晶粒使用台積電3奈米，記憶體晶粒使用第6代10奈米級（1c）DRAM，以減少逐家分別驗證。
6. 三星經內部評估後同意輝達要求，但僅限NVHBM；量產中的HBM4、驗證中的HBM4E及其他客戶客製化HBM仍使用自家4奈米製程。
7. 三星同步測試以自家2奈米生產NVHBM底層晶粒，作為台積電產能不足時的備案。
8. 業界估計台積電3奈米良率超過9成，三星晶圓代工2奈米約6成。
9. SK海力士已於2024年4月與台積電簽署合作備忘錄，由台積電生產HBM4底層晶粒並整合CoWoS封裝，當時規畫2026年量產。
10. 瑞銀預估明年HBM需求約615億Gb、年增91%，新增出貨約546億Gb，供給缺口約1成。
11. 台積電在台南晶圓18廠增設3奈米產線，並規畫在美國亞利桑那州與日本熊本廠導入3奈米製程。