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1. 長庚大學團隊成功在2吋晶圓上生長單層p型硼碳氮（BCN）半導體材料。
2. 研究團隊由長庚大學前瞻後矽異質材料中心主任童俊智領軍，合作單位包括日本東京大學、台大、陽明交大及中研院。
3. 團隊調控硼、碳、氮原子在表面反應中的釋放順序與結合路徑，克服碳原子形成石墨烯相分離的合成難題。
4. 童俊智表示，p型BCN可望與n型二維半導體整合，形成互補式二維電子元件。
5. 長庚大學工學院院長郭斯彥指出，現代矽晶片已面臨物理極限，業界正尋找下一代半導體材料。
6. 二維半導體具有快速傳輸、耗電較少、元件穩定省電等特性，可應用於可彎曲螢幕、輕薄裝置及穿戴式感測器。
7. 研究團隊認為，BCN的突破可為次世代晶片與AI、高效能運算硬體發展奠定基礎。
8. 這項被形容為全球罕見的技術，目前可進行晶圓級製造，但原文未提及後續量產時程。